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从逻辑IC工艺28nm至7nm 技术迭代加快开发成本激增六合头条论坛

发布日期:2019-10-18 06:20   来源:未知   阅读:

  根据IC Insights的最新研究报告显示,目前IC公司提供的面向逻辑芯片工艺技术比以往任何时候都多,六合头条论坛,逻辑IC工艺技术已经取得重大进步。尽管开发成本不断增加,但IC制造商仍在继续取得巨大进步。

  英特尔 - 其2018年末推出的第九代处理器名为“Coffee Lake-S”,即“Coffee Lake Refresh”。英特尔称这些处理器是新一代产品,但它们似乎更多增强了第八代产品。细节很少,但这些处理器似乎是在14nm ++工艺的增强版本上制造的,或者可能被认为是14nm +++工艺。

  使用其10nm工艺的大规模生产将在2019年推出,并于2018年12月推出新的“Sunny Cove”系列处理器。看起来Sunny Cove架构基本上取代了10nm的Cannon Lake架构。预计到2020年,10nm +衍生工艺将进入批量生产阶段。

  台积电 - 台积电的10nm finFET工艺于2016年底投入批量生产,但已从10纳米迅速发展至7纳米。台积电相信7nm产品将成为28nm和16nm等长寿命节点。· 在多数时候,六合发财报

  目前,台积电5纳米工艺正在开发中,预计将于2019年上半年进入风险生产阶段,到2020年将开始量产。该工艺将使用EUV,但它不会是台积电利用EUV技术的第一个流程。首先是该公司7nm技术的改进版本。 N7 +工艺仅在关键层(四层)上使用EUV,而N5工艺将广泛使用EUV(最多14层)。 N7 +计划于2019年第二季度投入量产。

  三星 - 在2018年初,三星开始批量生产第二代10nm工艺,称为10LPP(低功率+)。在2018年晚些时候,三星推出了第三代10nm工艺,称为10LPU(低功耗终极),提供了另一项性能提升。三星采用10nm的三重图案光刻技术。与台积电不同,三星认为其10纳米工艺系列(包括8纳米衍生产品)的生命周期很长。

  三星的7nm技术于2018年10月投入风险生产。该公司不再提供采用浸没式光刻技术的7nm工艺,而是决定直接采用基于EUV的7nm工艺。该公司正在将EUV用于7nm的8-10层。

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